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NXP Semiconductors
PESD5V0U5BF; PESD5V0U5BV
Ultra low capacitance bidirectional ?vefold ESD protection arrays
4. Marking
Table 5.
Marking codes
Type number
PESD5V0U5BF
PESD5V0U5BV
Marking code
B2
G7
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
[1][2]
IEC 61000-4-2
-
10
kV
(contact discharge)
MIL-STD-883 (human
-
8
kV
body model)
PESD5V0U5BF_PESD5V0U5BV_1
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to pin 2.
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 15 August 2008
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